谌志国 Zhiguo Chen
谌志国,特聘研究员,博士生导师,2017年任国家重点研发计划(青年项目)首席科学家。主要利用强磁场和低温条件下的红外光谱来研究拓扑量子材料、强关联和低维电子体系的物理性质,包括拓扑绝缘体、Dirac半金属、Weyl半金属、铁基超导体和石墨烯等。
教育及工作经历:
过去主要工作:
代表性论文: (*通讯作者,#共同一作)
荣誉与奖励:
2013年:中科院优秀博士学位论文奖
目前的研究课题及展望:
培养研究生情况:
联系方式:
电话:010 - 8264 9030(办公室)
010 - 8264 9587(实验室)
Email: zgchen@iphy.ac.cn
在读研究生3名,每年拟招收研究生3名,欢迎具有物理,材料或化学专业背景的考生联系报考。拟招收博士后2名。
主要研究拓扑量子材料(如拓扑绝缘体,拓扑三维Dirac半金属,Weyl半金属),强关联电子体系(如非常规超导体)和低维材料的物理性质。
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